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東芝面向中大電流IGBT/MOSFET推出內(nèi)置保護(hù)功能的光耦

來源:廠商投稿

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所屬頻道:新聞中心

關(guān)鍵詞:東芝 光耦

    中國上海,2020年3月10日——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦,適用于工業(yè)逆變器和光伏(PV)的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦內(nèi)置多種功能[1],其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實(shí)現(xiàn)過流檢測(cè)。產(chǎn)品于今日起開始出貨。


    TLP5231產(chǎn)品示意圖

    新型預(yù)驅(qū)動(dòng)光耦使用外部P溝道和N溝道互補(bǔ)的MOSFET作為緩沖器,來控制中大電流IGBT和MOSFET。

    目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實(shí)現(xiàn)電流放大,這會(huì)在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠使用外部互補(bǔ)MOSFET緩沖器,僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時(shí)消耗電流,有助于降低功耗。

    通過改變外部互補(bǔ)MOSFET緩沖器的大小,TLP5231能夠?yàn)楦鞣NIGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平臺(tái)來滿足系統(tǒng)的功率需求,從而簡化設(shè)計(jì)。

    其他功能包括:在檢測(cè)到VCE(sat)過流后使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET控制“柵極軟關(guān)斷時(shí)間”;另外,除了能通過監(jiān)控集電極電壓檢測(cè)到VCE(sat)之外,還有UVLO[3]檢測(cè),將任意故障信號(hào)輸出到一次側(cè)。以上這些現(xiàn)有產(chǎn)品[2]不具備的新特性,能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設(shè)計(jì)柵極驅(qū)動(dòng)電路。

    應(yīng)用:
    ?IGBT與功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)(預(yù)驅(qū)動(dòng))
    ?交流電機(jī)和直流無刷電機(jī)控制
    ?工業(yè)逆變器與不間斷電源(UPS)
    ?光伏(PV)電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)

    特性:
    ?內(nèi)置有源時(shí)序控制的雙輸出,適用于驅(qū)動(dòng)P溝道和N溝道互補(bǔ)MOSFET緩沖器。
    ?當(dāng)檢測(cè)到過流時(shí),通過使用另一個(gè)外部N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)可配置柵極軟關(guān)斷時(shí)間。
    ?當(dāng)監(jiān)控集電極電壓檢測(cè)到過流時(shí)或UVLO時(shí),故障信號(hào)會(huì)輸出到一次側(cè)。

    主要規(guī)格:
    (除非另有說明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)
    器件型號(hào) TLP5231
    絕對(duì)最大額定值 峰值高電平輸出電流IOPH(A) -2.5
     峰值低電平輸出電流IOPL(A) +2.5
    電氣特性 VOUTP高電平輸出電流IOUTPH最大值(A) -1.0
     VOUTP低電平輸出電流IOUTPL最小值(A) 1.0
     VOUTN高電平輸出電流IOUTNH最大值(A) -1.0
     VOUTN低電平輸出電流IOUTNL最小值(A) 1.0
     高電平供電電流(VCC2)ICC2H最大值(mA) 10.2
     低電平供電電流(VCC2)ICC2L最大值(mA) 10.2
     高電平供電電流(VEE)IEEH最小值(mA) -9.2
     低電平供電電流(VEE)IEEL最小值(mA) -9.2
     閾值輸入電流(H/L)IFHL最大值(mA) 3.5
    建議工作條件 總輸出供電電壓(VCC2-VEE)(V) 21.5至30
     負(fù)輸出供電電壓(VE-VEE)(V) 6.5至15
     正輸出供電電壓(VCC2-VE)(V) 15至23.5
    開關(guān)特性 傳播延遲時(shí)間(L/H)tpLH(ns) 100至300
     傳播延遲時(shí)間(H/L)tpHL(ns) 100至300
     傳播延遲偏差(器件到器件)tpsk(ns) -200至200
     高電平共模瞬態(tài)抑制
    CMH最小值(kV/μs) ±25
     高電平共模瞬態(tài)抑制
    CML最小值(kV/μs) ±25
    功能 保護(hù)功能 IGBT VCE(sat)檢測(cè)、
    欠壓鎖定(UVLO)[4]
     反饋(故障):在檢測(cè)到VCE(sat)或UVLO(集電極開路輸出)時(shí)激活
    隔離特性
    (@Ta=25℃) 隔離電壓BVS最小值(Vrms) 5000
    機(jī)械參數(shù) 最小電氣間隙(mm) 8.0
     最小爬電距離(mm) 8.0
     內(nèi)部最小隔離厚度(mm) 0.4
    庫存查詢與購買 在線購買

    注釋:
    [1] 柵極信號(hào)軟關(guān)斷、故障反饋功能
    [2] TLP5214、TLP5214A
    [3] UVLO:欠壓鎖定
    [4] 常見VE

    如需了解相關(guān)新產(chǎn)品的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問:
    TLP5231
    https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/optoelectronics/detail.TLP5231.html
    如需了解相關(guān)東芝光半導(dǎo)體產(chǎn)品線的更多信息,請(qǐng)?jiān)L問:
    https://toshiba-semicon-storage.com/cn/product/opto.html
    如需了解相關(guān)新產(chǎn)品在線分銷商網(wǎng)站的供貨情況,請(qǐng)?jiān)L問:
    TLP5231
    https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TLP5231.html

    *公司名稱、產(chǎn)品名稱和服務(wù)名稱可能是其各自公司的商標(biāo)。


    關(guān)于東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社
    東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社,主要從事電子元器件事業(yè)和存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)。其中電子元器件事業(yè)包含占市場(chǎng)大份額的分立器件、以及業(yè)界先進(jìn)的系統(tǒng)LSI。在分立半導(dǎo)體領(lǐng)域,集中力量在控制設(shè)備功耗的功率器件等產(chǎn)品。在系統(tǒng)LSI領(lǐng)域,通過用于物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、通信和電源應(yīng)用領(lǐng)域的LSI產(chǎn)品,推動(dòng)全球電子設(shè)備的發(fā)展。存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè)主要在機(jī)械硬盤(HDD)領(lǐng)域,著重開發(fā)面向數(shù)據(jù)中心等企業(yè)級(jí)大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品。東芝通過加強(qiáng)電子元器件事業(yè)和存儲(chǔ)產(chǎn)品事業(yè),為支持和推動(dòng)智能社區(qū)和智能生活的建設(shè)提供廣泛的半導(dǎo)體解決方案及應(yīng)用。
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