東芝電子元件及存儲裝置株式會社（"東芝"）今日宣布，推出"TLP5231"，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預驅動光耦內置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產品于今日起開始出貨。

TLP5231產品示意圖

　　新型預驅動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。

　　目前現(xiàn)有產品[2]需要使用雙極型晶體管構成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產品能夠使用外部互補MOSFET緩沖器，僅在緩沖器MOSFET的柵極充電或放電時消耗電流，有助于降低功耗。

　　通過改變外部互補MOSFET緩沖器的大小，TLP5231能夠為各種IGBT和MOSFET提供所需的柵極電流。TLP5231、MOSFET緩沖器以及IGBT／MOSFET的配置可用作平臺來滿足系統(tǒng)的功率需求，從而簡化設計。

　　其他功能包括：在檢測到VCE(sat)過流后使用另一個外部N溝道MOSFET控制"柵極軟關斷時間"；另外，除了能通過監(jiān)控集電極電壓檢測到VCE(sat)之外，還有UVLO[3]檢測，將任意故障信號輸出到一次側。以上這些現(xiàn)有產品[2]不具備的新特性，能夠讓TLP5231幫助用戶更輕松地設計柵極驅動電路。

應用：
　　IGBT與功率MOSFET柵極驅動（預驅動）
　　交流電機和直流無刷電機控制
　　工業(yè)逆變器與不間斷電源（UPS）
　　光伏（PV）電源調節(jié)系統(tǒng)

特性：
　　內置有源時序控制的雙輸出，適用于驅動P溝道和N溝道互補MOSFET緩沖器。
　　當檢測到過流時，通過使用另一個外部N溝道MOSFET實現(xiàn)可配置柵極軟關斷時間。
　　當監(jiān)控集電極電壓檢測到過流時或UVLO時，故障信號會輸出到一次側。

主要規(guī)格：
　?。ǔ橇碛姓f明，@Ta＝-40至110℃，典型值@Ta＝25℃）

器件型號
TLP5231
絕對最大額定值
峰值高電平輸出電流IOPH（A）
-2.5
峰值低電平輸出電流IOPL（A）
+2.5
電氣特性
VOUTP高電平輸出電流IOUTPH最大值（A）
-1.0
VOUTP低電平輸出電流IOUTPL最小值（A）
1.0
VOUTN高電平輸出電流IOUTNH最大值（A）
-1.0
VOUTN低電平輸出電流IOUTNL最小值（A）
1.0
高電平供電電流（VCC2）ICC2H最大值（mA）
10.2
低電平供電電流（VCC2）ICC2L最大值（mA）
10.2
高電平供電電流（VEE）IEEH最小值（mA）
-9.2
低電平供電電流（VEE）IEEL最小值（mA）
-9.2
閾值輸入電流（H／L）IFHL最大值（mA）
3.5
建議工作條件
總輸出供電電壓（VCC2-VEE）（V）
21.5至30
負輸出供電電壓（VE-VEE）（V）
6.5至15
正輸出供電電壓（VCC2-VE）（V）
15至23.5
開關特性
傳播延遲時間（L／H）tpLH（ns）
100至300
傳播延遲時間（H／L）tpHL（ns）
100至300
傳播延遲偏差（器件到器件）tpsk（ns）
-200至200
高電平共模瞬態(tài)抑制
CMH最小值（kV/μs）
±25
高電平共模瞬態(tài)抑制
CML最小值（kV/μs）
±25
功能
保護功能
IGBT VCE(sat)檢測、
欠壓鎖定（UVLO）[4]
反饋（故障）：在檢測到VCE(sat)或UVLO（集電極開路輸出）時激活
隔離特性
（@Ta＝25℃）
隔離電壓BVS最小值（Vrms）
5000
機械參數
最小電氣間隙（mm）
8.0
最小爬電距離（mm）
8.0
內部最小隔離厚度（mm）
0.4
庫存查詢與購買
在線購買
　　注釋：
　　[1] 柵極信號軟關斷、故障反饋功能
　　[2] TLP5214、TLP5214A
　　[3] UVLO：欠壓鎖定
　　[4] 常見VE